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        華南師范大學(xué)光電子材料與技術(shù)研究所所長范廣涵照片
        范廣涵

        范廣涵教授,國內(nèi)最先從事氮化鎵藍色LED發(fā)光材料研究(1972年起)和MOCVD技術(shù)研究(1982年起)的著名光電子專家,是中國LED研究應(yīng)用的開拓者?;浉坳P(guān)鍵領(lǐng)域重點突破招標(biāo)項目—發(fā)光二極管(LED)外延片材料和生長方法,驗收評定為國際先進。 范教授是國內(nèi)最先從事氮化鎵藍色LED發(fā)光材料研究(1972年起)和MOCVD技術(shù)研究(1982年起)的光電子專家。早在1972年,他就開始以氯化物法在藍寶石襯底上生長 GaN基藍光材料和器件,一直在寬禁帶的II-VI和III-V族半導(dǎo)體藍色LED材料領(lǐng)域進行研究工作,積累了光電子材料與器件學(xué)科的豐富經(jīng)驗。他作為副組長承擔(dān)的863計劃光計算機項目“II-VI族超晶格結(jié)構(gòu)光學(xué)雙穩(wěn)器件研究”鑒定時被認為具有國際領(lǐng)先水平,獲中科院自然科學(xué)一等獎,他負責(zé)的國家自然科學(xué)基金項目“ZnSe/ZnS光波導(dǎo)研究”被評為優(yōu)等。 1983年,他發(fā)表在《發(fā)光與顯示》上的“MOCVD法和II-VI族材料的制備”一文為我國最早專門介紹MOCVD法的文章,先后在國內(nèi)和英國設(shè)計組裝了8套MOCVD系統(tǒng),其中1986年設(shè)計建造的II-VI族MOCVD系統(tǒng)獲得中科院科技進步二等獎。 他以訪問學(xué)者、副研究員、研究員身份去英國曼徹斯特理工大學(xué)和東北威爾士學(xué)院從事II-VI和III-V族化合物光電子材料的MOCVD生長研究工作達六年。在ZnSe藍色激光材料研究中取得突破性進展,發(fā)表的論文被引用數(shù)十次。他通過紅外光譜法和質(zhì)譜法對MOCVD外延的熱分解和淀積反應(yīng)機理進行了深入研究,研究成果得到英國聯(lián)合攻關(guān)項目評審專家的表揚和嘉獎。1995年他應(yīng)南昌大學(xué)的校長之邀回國并擔(dān)任該校材料科學(xué)研究所所長,承擔(dān)了國家863計劃氮化鎵藍光LED項目,自己設(shè)計和組裝了MOCVD系統(tǒng),以及組建相關(guān)測試及芯片制備實驗室,為南昌大學(xué)以后的材料研究工作奠定了良好基礎(chǔ)。 1998年范廣涵教授來華南師范大學(xué)后擔(dān)任MOCVD實驗室主任,創(chuàng)建光電子材料與技術(shù)研究所,擔(dān)任光電子材料與技術(shù)研究所所長和廣州亮達光電器件有限公司總經(jīng)理兼總工程師,組建了一支由教授、博士和碩士的科技攻關(guān)隊伍,帶領(lǐng)全隊成員努力拼搏,建起國際先進水平的MOCVD實驗室,以及X-射線雙晶衍射、光熒光掃描、霍爾和載流子濃度深度分布測試等分析實驗室。解決了高質(zhì)量四元系單晶薄膜生長、雙異質(zhì)結(jié)和多量子阱結(jié)構(gòu)的設(shè)計與生長、電子阻擋層和布拉格反射器的制備等技術(shù)難關(guān)。研制出的GaAlInP四元系超高亮度LED技術(shù)指標(biāo)大大超越承擔(dān)項目時的要求,已積累了研制超高亮度LED產(chǎn)業(yè)化的實際經(jīng)驗,為高校在“產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合”的科研發(fā)展上進行有益的探索。 2002年3月,范教授在英國劍橋大學(xué)的MOCVD設(shè)備上用自有技術(shù)進行了GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的藍光LED外延生長。制備的藍光LED外延片結(jié)果達到同年國際先進水平,LED芯片發(fā)光功率達4mW以上,平均發(fā)光功率達3.7mW。已申請了多項GaN基LED方面發(fā)明專利和多項光電子應(yīng)用產(chǎn)品的專利。目前,范教授積極參與LED標(biāo)準(zhǔn)化和大功率白光LED可靠性的研究。 范教授承擔(dān)了國家科技部“2000年國家科技攻關(guān)計劃”中的地方重點攻關(guān)項目“超高亮度發(fā)光二極管和面發(fā)光半導(dǎo)體激光器”,以及省市重大攻關(guān)項目多項。曾獲“中科院自然科學(xué)一等獎”、“中科院科技進步二等獎”和“江西省科技進步一等獎”等獎勵。 范廣涵教授培養(yǎng)了一批光電子材料與器件領(lǐng)域的博士和碩士和專家,近些年來,負責(zé)及參與項目涉及金額達3000多萬元,尤其是2010年結(jié)題的粵港關(guān)鍵領(lǐng)域重點突破招標(biāo)項目—發(fā)光二極管(LED)外延片材料和生長方法,驗收評定為國際先進。

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