博士，研究員，博士生導(dǎo)師，于1982年在西安交通大學(xué)獲得電子工程系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)工學(xué)學(xué)士學(xué)位，于1984年在信息產(chǎn)業(yè)部電子第十三研究所獲得半導(dǎo)體材料與器件物理專業(yè)工學(xué)碩士學(xué)位，于1991年在中科院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所獲得光學(xué)專業(yè)理學(xué)博士學(xué)位。1991～1993年：在半導(dǎo)體研究所作博士后研究工作，從事GaAs材料的生長(zhǎng)及器件研究，在III-V GaAs紅外量子阱探測(cè)器方面做出了較有影響的研究工作；1993～1995年：在半導(dǎo)體研究所從事新型半導(dǎo)體材料的研究工作；1995～2002年，任半導(dǎo)體研究所材料中心主任，所長(zhǎng)助理，所學(xué)術(shù)委員會(huì)委員，從事新型半導(dǎo)體材料研究工作，主持并完成了國家"九五"重大科技攻關(guān)項(xiàng)目"北方微電子基地"的"國家新型半導(dǎo)體材料研究基地建設(shè)"以及"新型半導(dǎo)體材料"項(xiàng)目，包括：亞微米、深亞微米CMOS電路用薄層外延Si材料項(xiàng)目；雙異質(zhì)SOI材料項(xiàng)目；高溫MESFET用GaN外延材料；高溫功率器件用MBE SiC材料；1999.10～2002.01：訪美學(xué)者。1999～至今：半導(dǎo)體研究所創(chuàng)新工程重大項(xiàng)目"半導(dǎo)體功能材料"負(fù)責(zé)人。在科研、科研管理的同時(shí)，積極探索科研成果轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的途徑，積極尋求社會(huì)資本，參與組建了北京中科鎵英半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，致力于化合物半導(dǎo)體單晶材料和外延材料的開發(fā)生產(chǎn)。