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由SEMICON China主辦的2017中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（CSTIC）于2017-03-12在上海國際會議中心舉辦。
首頁>演講嘉賓> Dr. Qingtai Zhao更新時間：2017-03-12
Dr. Qingtai Zhao，1993年獲得北京大學(xué)物理?博士學(xué)位；精通中文，英文和德文；1990 至1997年，任職于北京大學(xué)?微電子研究所?SOI材料和器件；1994 年至1997年任職于北京大學(xué)?微電子研究所；1997年至今任職于德國ForschungszentrumJülich?Halbleiter-Nanoelektronik（PGI-9）研究所。 Dr. Qingtai Zhao著有添加對不同溫度退火時Ni鍺硅化物層形成的影響、負電容作為隧道FET和MOSFET的性能增強器：實驗研究、具有外延NiSi 2接觸和摻雜分離的肖特基勢壘金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的實驗I-V和C-V分析、在低漏極電流下，平均閾值斜率為55mV / dec的硅隧道FET、陡坡晶體管組合相變和帶 - 帶隧道以實現(xiàn)亞單位身體因子、NiGeSn-GeSn接觸中摻雜劑偏析的肖特基勢壘調(diào)節(jié)等文章和研究論文。
換一批Dr. Qingtai Zhao出席會議日程
由SEMICON China主辦的2017中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會（CSTIC）于2017-03-12在上海國際會議中心舉辦。
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2017-03-12
