2021 CIAS中國國際新一代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)高峰論壇

2021.04.12-13???上海????嘉定喜來登酒店

（慕尼黑電子展同期）

會(huì)議背景
? ? ? ?功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車制造成本占比僅次于電池，是電動(dòng)汽車第二大核心零部件。例如IGBT作為重要的功率器件，占電動(dòng)汽車成本將近10%，通常一臺(tái)汽車電控系統(tǒng)需要用到幾十個(gè)IGBT。除了電控系統(tǒng)之外，IGBT還在車載充電機(jī)、充電樁等多個(gè)地方發(fā)揮極其重要的作用。
? ? ? ?新能源電動(dòng)汽車需要頻繁的電壓變換和直流-交流變換，加上續(xù)航能力要求提升，一套高質(zhì)量的電能管理方案將是必不可少的。因此，電動(dòng)汽車對(duì)IGBT、MOSFET等功率器件的需求遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)汽車。
? ? ? ?功率半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，尤其是新型功率器件，其在新能源汽車市場的發(fā)展前景不容小覷，特別是對(duì)于高性能的功率半導(dǎo)體，將會(huì)高度依賴。其中，功率半導(dǎo)體材料和成本方面的突破是進(jìn)一步提升電動(dòng)汽車的性能的關(guān)鍵。
? ? ? ? 未來的功率器件技術(shù)突破是多方面的，例如從寬禁帶半導(dǎo)體材料方面著手，利用碳化硅或者氮化鎵的耐高溫、抗輻射優(yōu)點(diǎn)，降低導(dǎo)通損耗等?；蛘呤峭ㄟ^超結(jié)IGBT技術(shù)，提升器件的耐壓性能。又或者是利用硅基IGBT和碳化硅MOSFET的巧妙組合，達(dá)到新的性能水平。技術(shù)路線發(fā)展與成本控制并行，從業(yè)工程師人員對(duì)新一代功率器件及材料的關(guān)注度日益增高。
? ? ? ? 旺材新媒體自成立以來，一直致力于新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈的多維服務(wù)，在新能源電驅(qū)領(lǐng)域，往期舉辦的數(shù)十場會(huì)議活動(dòng)，得到了諸多行業(yè)用戶的認(rèn)可與支持。于此，本次應(yīng)行業(yè)用戶的要求，我們于2021年4月12-13日上海，舉辦《APIM新一代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件與核心材料技術(shù)高峰論壇》，聚功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈同仁，共商新一代車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體的技術(shù)革新，材料成本控制與創(chuàng)新應(yīng)用要求。誠邀各位的蒞臨參與！

會(huì)議亮點(diǎn)

聚焦新一代IGBT與第三代半導(dǎo)體技術(shù)

超結(jié)IGBT技術(shù)? 提升器件的耐壓性能

硅基IGBT和碳化硅MOSFET?組合? ? 高頻率，低損耗?

寬禁帶半導(dǎo)體材料? ? ?利用碳化硅或者氮化鎵的耐高溫、抗輻射優(yōu)點(diǎn)，降低導(dǎo)通損耗等?

會(huì)議結(jié)構(gòu)

4.12日??上午?【簽到+參觀展區(qū)】

4.12日??下午?【應(yīng)用創(chuàng)新與第三代半導(dǎo)體】

4.13日??上午?【芯片技術(shù)及材料降本】

4.13日??下午?【模組熱管理與可靠性】

4.12日下午??同期活動(dòng)【汽車級(jí)碳化硅芯片/模塊與主驅(qū)控制器技術(shù)閉門會(huì)】

--IGBT和MOSFET誰是未來主流？ 碳化硅的機(jī)會(huì)與嘗試? 主機(jī)廠與電驅(qū)企業(yè)觀點(diǎn)碰撞
--IGBT7已就緒，IGBT8不遠(yuǎn)？? 三菱，羅姆，英飛凌等企業(yè)發(fā)力何方
--材料降本與可靠性問題解決方案?? ?國產(chǎn)功率半導(dǎo)體企業(yè)入局之路?

技術(shù)總監(jiān)級(jí)別以上參與，定向邀請（20人）

會(huì)議地址：上海嘉定喜來登酒店。嘉定菊園新區(qū)嘉唐公路66號(hào)距虹橋國際機(jī)場：距離 29 公里 ?出租車：時(shí)間約44 分鐘

距虹橋火車站：距離 28.4 公里 ??出租車：時(shí)間約 43 分鐘 ?距上海站：距離 29.5公里 ??出租車：時(shí)間約 55 分鐘

距11號(hào)線嘉定北站：約980米，步行約13分鐘（地鐵）

大會(huì)協(xié)議酒店上海嘉定·喜來登酒店

酒店協(xié)議價(jià)：450元（大床/標(biāo)間）